气字的结构_气字的结构

“气”字的结构据金融行业2024年3月20日消息，根据国家知识产权局公告，金卡智能集团有限公司已获得授权公告号为“A计数结构”一种基于电容判断字符轮位置的计数方法CN109540178B，申请日为2018年12月。专利摘要显示，本发明涉及测量与计数技术领域，具体涉及一种确定字符轮位置的计数方法。基于电容的字符轮。我会继续。

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七子长鑫存储技术有限公司结构与制造部已获得授权公告号CN110299324B，名称为“半导体存储器的晶体管结构及制造方法”，申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提出了一种半导体存储器的晶体管结构及其制造方法。该方法包括：在基板上形成有源区以及与其交叉的字线；在两条字线之间形成接触，等等。我继续说。

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据金融行业2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司已获得授权公告号CN110911416B，名称为《集成电路器件及制造方法》，具有申请日期2019年6月。专利摘要显示一种集成电路元件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔以及电荷捕捉图案。字线结构与绝缘结构彼此交错。

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“气”字的笔划在第一沟槽中形成晶体管结构。晶体管结构包括覆盖第一沟槽内壁的栅极层以及位于栅极层内的有源结构。沿第二方向延伸的字线形成晶体管结构，覆盖沿第二方向间隔开的多个存储区中的栅极层。本发明简化了水平字线的形成工艺，降低了半导体成本。

第一导电层与栅极介电层的侧面接触，第二导电层位于相邻的有源柱之间，并且第一导电层位于栅极介电层与第二导电层之间，第二导电层位于栅极介电层与第二导电层之间。导电层设置于第一导电层的侧面周围。本发明实施例提供的半导体结构及其制备方法至少可以提高字线的控制能力。本文源自Finance，我会继续。

“气”的笔画顺序提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：阵列区和围绕阵列区的分隔区；阵列区包括沿第一方向延伸的部分位线和沿第二方向延伸的部分位线。部分字线；隔离区包括与阵列区的至少一侧相邻的引出区，并且字线和/或位线也位于引出区中。隔离区包括浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构为小毛猫。

繁体字的“气”字怎么写？据金融行业2023年12月12日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN113745193B，名称为“字线提取结构及制备方法”。申请日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法。在基板上形成沿X轴方向延伸的字线；沿Y轴方向成型完成。

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气态Oracle目标栅极沟槽沿第二方向延伸的侧壁包括由内向外依次层叠的第一子侧壁和第二子侧壁。在目标栅极沟槽中形成周围的目标半导体层的两个栅极结构沿第二方向间隔开。本发明至少可以增加单个存储单元结构中栅极结构和字线结构的厚度，而不会减少单位体积的存储单元数量。我会继续。

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气体特性的演变过程：第二沟槽隔离结构和第三沟槽隔离结构；形成两个间隔设置的栅极沟槽，其底面与衬底的上表面接触，且目标半导体层位于栅极沟槽内的部分暴露并悬空；在栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的栅极结构。本发明实施例在不减少单位体积存储单元数量的情况下，至少可以增加字线结构占用的空间。

形成字线，字线位于阵列区的底部；形成间隔层，其至少位于周边区的保护层的顶面上；去除位于外围区域的间隔层和保护层；形成栅极介电层，栅极介电层位于周边区的基板的顶面上。形成栅极结构，栅极结构位于外围区的栅介质层的顶面上。在形成字线时可以保护外围区的结构，以防止外围区出现结点，这将在后面介绍。